关键字 |
级联多级反转器、弦脉冲宽度调制、空间矢量脉冲宽度调制-相位处置法MATLAB模链接 |
导 言 |
多级逆序器最近成为高电压和中电压应用领域非常重要的角色。多级逆序器为,i二维插件多级转码器ii飞电电量多级转分三连带H-桥多级逆序器,级联H-桥多级逆序器与其他地形相比有一些缺陷,因为它拥有全H-桥提高电压水平相同数构件对每一级都足够脉冲宽度调制中,正弦波与载波比较,脉冲生成产生多级反转器脉冲时,SVPWM调波与产生多级反转器脉冲的载波比较载波基础程序用于多级反射器运量取决于多级逆序五级逆向使用四级运算符模拟由MATLAB模拟链路模型完成波表使用工作空间模型 |
H-BridGE多级互连 |
级联多级逆序机 级联全桥 单自DC源码 设备数少用使用H-桥梁包括多级逆位提高逆位电压下图一显示五级级联H桥反转器8开关和2D源码加载少缺构件,等量构件在每个电压级别都足够电压层次不同时切换序列操作将依次于表1,当电池2Vdc电压时零电压S1S3S5S7开关Vdc电荷S2S8S2交换机2Vdc电压S1S6S5S2开关对O2Vdc电压S3S8S7S4开关对O2Vdc电压S3S7S5S4开关对O |
PULSEWIDTH移动 |
A.二次脉冲宽度变换 |
脉冲宽度调适中参考波为正弦波与载波三角波比较 脉冲生成向反转器提供正弦波大于载波顶开关底开关On |
载波PWM机制 |
以承运人为基础的PWM机制使用m级运波计算法,承运人基础PWM机制划分为二类,即(一)级转多运调法,(二)级转多运调制 |
相位移多载器变换 |
相位移多运量调制中,所有三角运量波峰值对峰值和频率相同,但相位移则视逆位值不同水平使用公式以波表从上到下计算三角波分别为C1、C2、C3和C4波与参考波比较生成脉冲向逆序.fig(1)显示级联H桥五级逆序向S5门提供C1波脉冲,向S1门提供C2波脉冲,然后向S7门提供C3波脉冲,然后向S3门提供C4波脉冲 |
级移多运量调制 |
类似相位移多运量调制,级移调制波用于m-级三角载波频率和倍增率相同多载量转移类型解释如下:相位移多载器调制 所有载波都相接替代相向处理中,所有载体都选择对立处理相向处理法中,0参考值比零相向值相对 |
5级逆波四波从上到下我们分别考虑C1、C2、C3和C4波比较引用波生成脉冲向逆序.fig(1)显示级联H桥五级逆序向S5切换门提供C1波脉冲,向S1切换门提供C2波脉冲,向S3切换门提供C3波脉冲,向S3切换门提供C4波脉冲 |
.b.空间向量宽度变换 |
SVPWM常量交换时间计算SVPWM很容易转换为更高层次.SVPWM很好地使用DC链路电压、低流波和相对容易硬件实现与SPWM相比,SVPWM电压使用率提高15%级数增加 冗余切换状态增加 并复杂选择切换状态 |
引用向量 |
引用矢量表示为++-平面开关On或OF确定点 |
开关On表示 1 OF表示 0.开关l 3 5为上开关l上开关为0时终端电压为0时下端开关补充上端开关,所以唯一可能的组合是开关状态:000,001,010,011,100,110,111表示有8种可能的切换状态,其中2种为零切换状态,6种为主动切换状态由活动矢量(V1-V6)和0-V0表示零向量置入轴源 |
假设三相系统均衡 |
(1) |
即时相位电压 |
(2) |
3相位电压应用AC机时创建旋转通量通量表示为旋转电压向量大小角可用 Clark 变换计算 |
3级 |
引用矢量角为 : |
(4) |
引用电压表示方式如下: |
(5) |
Alpha和Bea轴上的电压向量可描述为: |
(11) |
计算VATA、VETE、Vref和参考角后,第一步取步下一步计算矢量V1-V6的持续时间 |
时间长度 |
12 |
(13) |
(14) |
切换时间单段7切换状态开始端带零向量不等数字逆时针遍历区和偶部门顺时针遍历区表3显示三相职责周期,即TA、TB和TC六个区 |
模组结晶 |
工作空间模型使用MATLABSiminglink实现下列结果SPWM和SVPWMTH |
A.异类PWM |
SPWM使用载波比对5级级级联H-桥逆波 |
相位移多载器变换 |
下图9显示分级5级H-Bridge反转器使用SPWM相位移调制模模拟结果 |
水平移位多载器变换 |
相位处理 |
替代相位对接 |
相向处理 |
从这些数字看,多载波分解法比别法优低高压电压更好 |
.b.空间向量PWM |
SVPWM优于SPWM.调制波与载波比较 脉冲生成面向逆序门级联H-桥5级逆序电波 |
结论 |
本文讨论了SPWM&SVPWM与级联H桥5级的比较并讨论多载量调制相位处置法优于低THD(29.13%),则空间矢量脉冲调制低THD(28.48%)比SinusoidalWulseWidth模版.SVPWM使用DC优于SPWM.使用MATLAB模拟链路模型讨论模拟结果 |
公有化 |
作者想感谢Mr.S.Verakumar支持实施该项目 |
表一览 |
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图一览 |
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图1 |
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图5 |
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图8 |
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引用 |
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- Karthikeyan,R.Dr.chenthur,pandians.on Industrial Electronics,Vol.3,NO.5,pp3915-3921,2011
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