设备电磁特性的砷化镓MESFET晶体管

文摘

摘要电磁MESFET晶体管的研究提出了基于迭代法。该方法产生的反射光和入射波之间的关系从平面电路。WCIP方法开发的快速模态变换算法

关键字

WCIP;FMT;平面电路;造型;MESFET晶体管;衍射。

介绍

MESFET或砷化镓场效应晶体管,它也被称为是一种高性能的场效应晶体管,主要用于高性能微波应用在半导体射频放大器。缩写MESFET代表金属半导体场效应晶体管。砷化镓砷化镓场效应晶体管标准,物质从湿草地场效应晶体管或场效应晶体管。砷化镓场效应晶体管或MESFET有许多共同特征与标准结型场效应晶体管或JFET MESFET虽能提供优越的性能,特别是在射频微波操作的区域,特别是在射频放大器中使用。(1]

在这篇文章中,一个迭代法应用于有源电路,它由连续反射及其双方之间的电路方案。它也有另一种行为之间的空间和光谱域。除了不连续计划分为细胞和散射算子矩阵的特征取决于边界条件。(2]

这一分析应用于计算矩形波导的S参数包括MESFET晶体管。

迭代方法Wcip

迭代法的原理波概念迭代过程被描述在几项研究[3,4]。

它会导致下列方程组:

(1)

(2)

地点:

J_我:电流密度。

一个_我:事件。

B_我:反射波。

Z_0我:特性阻抗的介质。i = (1.2)

利用方程(1),(2)积分方程:

(3)

可以重写在光谱域:

(4)

反射操作符Γ导纳运营商有关以下表达式:

(5)

在每个空间的子域边界连续性条件的Ω表达:

(6)

衍射操作符Ŝ有关金属、介质,源子域边界条件应用到方程(7)6]

Mesfet Applcation Wcip的

矩形波导的分析结构是由封闭的两边。中描述的图2不连续平面Ω分为细胞,包括四子域:孤立的,金属,源和MESFET晶体管。电磁结构的尺寸= b = 25毫米和基质特征epsr = 4.73和1.47毫米的厚度。我们模拟结构32 * 32的决议。

(7.)

(7. b)

(8.)

(8. b)

电导纳张力和强度相关的参数有以下经验:

(9)

应用方程(7.),(7. b),(8.)和(8. b)方程(9),d = c,电场和密度可以用以下形式:

(10)

地点:

(11)

MESFET晶体管的导纳参数定义的固有模式。MESFET的等效电路所示图3。

仿真的结果

边界条件和连续性方程

子域的边界条件的图形验证视图。

收敛的WCIP

不连续的特征的确定需要一个收敛的研究中,图5表明,透射系数收敛的模量(90与300年审判功能),50和寻收敛函数。

频率仿真

在图7衍射操作符是对频率的合理,这痕迹显示了schift resonnant频率f = 45 - 140 - 235 GHz”

的痕迹图7验证和证实resonnant频率。这个模拟后,我们研究盒子的效果特征衍射operateur值,从下面的痕迹,

前面的数据确定的拳击特征透射系数的影响当共振频率上的盒子大小并不重要,但材料和介质衬底的厚度决定改变反射系数的值和共振。

创建了这种变化成分和原子结构的介质或半导体衬底,然后我们记得,硅是适合的衍射和透射电磁波的MESFET结构

结论

执行摘要mesfet电磁波的传播,并证实WCIP方法也高度灵活和高效的为这种类型的电子元件

引用

1. g·伊森,b .高贵和i . n .却把“在某些积分Lipschitz-Hankel类型涉及到贝塞尔函数的产品,”菲尔。反式。罗伊。Soc。伦敦,A247卷,第551 - 529页,1955年4月。(引用)
2. j .克拉克·麦克斯韦电和磁论述,第三ed,卷。2。1892年牛津:克拉伦登,pp.68 - 73。
3. i s·雅各布斯和c·p . Bean微粒、薄膜和交换各向异性”,在磁性,第三卷,g . t .雷达手表和h·苏尔。纽约:学业,1963年,页271 - 350。
4. k .艾丽莎标题纸如果已知未出版。
5. r·尼科尔“标题纸只有第一个单词大写,“j .名字站。简写的。,我n press.
6. y Yorozu, m . Hirano k .奥卡河,y Tagawa,“电子能谱学研究磁媒体和塑料衬底界面,“IEEE Transl。j .增效。日本,2卷,第741 - 740页,1987年8月[摘要9年相依磁学日本,p。301年,1982年)。
7. 亚瑟夫,MESFET建模系统的优化技术,这些大,布莱克斯堡,弗吉尼亚州,2000年7月