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SnO2薄膜生长、结构学、光学和文理学研究

穆哈米德SajeerK级一号穆罕默德拉斐N级2
  1. 物理系助理教授M.E.S.工程学院 Kuttippuram印度喀拉拉
  2. 印度喀拉拉瓦兰切里理工学院物理系助理教授
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抽象性

Tinbox薄膜用化学喷雾热解沉入温度400摄氏度非操作玻璃子片上,溶液浓度介于0.2M至0.5M.使用扫描电子显微镜、XRD、V-Vis光谱技术研究沉积薄膜的结构、光学和表面形态特性SEM研究显示SnO2片展示表面异常粒子和粒子增量加溶集中XRD研究显示薄膜晶状和四角相结构微结构参数,如晶体大小、微菌株和变异密度计算并发现依赖溶液富集SnO2薄膜光带空白值使用UV-Vis光谱学反射数据计算从数据中,能量波段差介于2.72eV到2.95eV薄膜反射索引随着溶液集中度下降而下降

关键字
喷射热解、SnO2薄膜、SEM、XRD、UV-Vis谱度

导 言
研究二维薄膜非常重要 因为它们可能技术应用各种二氧化锡中,二氧化锡有希望之一并获得越来越多的关注,因为它在各种应用中可能使用归二六半导素组因节能区间差值约3eV液晶显示器、平面显示器、等离子显示器、触摸板、电子墨应用器、有机光二极管、太阳能电池、静态涂层和EMI屏蔽法、气感测过程等透明导波涂层,并用于造影二极管、电光设备等光电设备高反射指数高可见范围传输高,因此它反射器和电介滤波良好TinBOR2是气体感知应用中最重要的材料固态气体检测器居主导位置,原因是操作温度低、敏感度高、传感器设计机械简洁和制造成本低Tin二氧化物半导体N型,传感器传导性提高并存减少气体(如CO)和氧化性气体(如O2)snO2传感器响应是由于氧化锡和周围气体之间表面交互[1]

材料和方法
数项技术生成SnO2薄膜,如热蒸发[2]、喷热解[3]、分子波束上层法[4]、喷射[5]、化学浴沉降[6-11]喷雾热解技术特别有吸引力,因为它与所需真空条件或复杂设备相比简单化。方法用简单廉价化学喷雾热解技术制作SnO2薄膜这项工作集中SnO2薄膜的生长和不同特征,薄膜由支付热解技术制作电影特征为X射线分片、扫描电子显微镜和光学测量技术,讨论结果

警告
SnO2薄膜各种溶液浓缩sncl 2.2H2O适当量溶入乙醇/蒸馏水混合体添加几滴盐酸提高溶解性热基质提供热分解热源并SnO2薄膜不同摩尔富集度(0.2至0.5M)通过保持恒定基调温度(4000C)制备
薄膜结构特征分析xRD模式实现时使用BrukerAXSDS高级X射线分解计光学测量使用工具VARIAMECARY5000模型带光谱范围为200-1200纳米

结实和讨论
X射线反射模式记录喷入SnO2薄膜玻璃基质上0.2M、0.3M、0.4M和0.5M各种溶液富集观察显示,在所有XRD模式中,SnO2特征向优先方向定位(200)。并检测到其他峰值,如(110)(101)(211)(220)(310)和(301)。强度峰值随集中度增高逐步增高峰值增加可归因于胶片厚度从181.50nm持续增加低浓度时(0.2M)大片小核组成热解温度400C单核生长不同取向 最后水晶生长沿(200)平面居主导地位求解聚度增加(0.2至0.5M)后,最初组成大数小核可能聚积(coalescle),而相对少数大核可能组成,这可能造成小峰抑制或消失,沿(200)平面生长进一步受支配
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i二维薄膜折射索引从传输反射测量显示,波长变化见Fig5级从图中可明显看出折射索引下降与溶液集中度下降在所有电影中折射索引发现波长面积200纳米下降至450纳米并随后多或少保持恒定1.68至1.89分录0.2MSnO2片和1.73至1.94分录0.5MSnO2片原因可能是溶液集中性、运动性以及薄膜粗面效果
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结论
SnO2薄膜使用喷热解技术成功沉入各种溶液浓度0.2M、0.3M、0.4M和0.5MX射线分片分析确认沉积SnO2薄片为晶状和四角结构各种结构参数,如晶体尺寸、错位密度计算并发现取决于各种溶液富集SEM研究显示,异常粒子因溶液集中度提高而增加薄膜表面形态变化 求解集中度变化光传输量测显示沉薄膜带差能量介于2.72eV至2.95eV之间,确认这些是好的半导片

引用
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  2. V级迪米特罗娃泰特实战片Elsevier卷365,Iss 1,Pgs1-150,2000年
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