关键字 |
| SMS4-GCM;高速网络;加密;身份验证;完整的管道 |
介绍 |
| 半导体器件的性能和功能方面的各种优势。Nano -设备携带电荷和激子有效,是理想的纳米电子和光电的构建块。在最近时期,出现了令人难以置信的发展进行探索新颖的纳米技术为未来的纳米电子应用[1]。有几种类型的pn结二极管,要么强调不同的物理方面的几何比例的二极管,掺杂水平,选择合适的电极,只是一个二极管的应用程序在一个特殊的电路,或者是不同的设备如Gunn和激光二极管。特别是一些新兴纳米电子设备,如场效应晶体管(fet),复合半导体纳米线场效应晶体管,平面III-V掌握承诺作为潜在的设备是提高集成电路的功能。最近,高亮度的令人印象深刻的发展砷化镓(砷化镓)的发光二极管(led)使led植入在大尺寸平板显示器(2 - 7日)。这样的合并LED背光模块允许图像更尖锐、更丰富多彩。快速渗透LEDbased消费者显示市场的解决方案,有一个伟大的需要改善内部以及外部量子效率以提高光输出功率和降低LED模块的总成本。然而,GaN-based led的外部量子效率一般较低,由于氮化硅外延材料折射率差异和空气环境高[8][9]。组的元素III-V材料具有重大贡献和他们的应用程序吸引了研究人员调查他们潜在的用于光电设备,如发光二极管(led)和激光二极管(像)。 Several contributors demonstrated their application as various electronic gadgets such as displays, traffic signals, backlights for cell phones, lighting indicators and printers. Inspite of these two types of diodes, tunnel diode came into existence and in short span of time becomes an essential microwave device [10-15]. The resonant tunneling diode (RTD) belongs to the family of these diodes and is believed to be an element of a future low power, high density integrated circuit because of a possible ultra low power operation with a few electrons. |
| 一些研究人员已经报道不同的造型技术,使用纳米结构合成的二极管。用于制造的技术包括光刻、化学电镀技术,溶胶-凝胶法、旋转涂布和许多更多。为造型,一些研究人员发现他们在一些值得信赖的软件可靠性,ANSYS, COMSOL多重物理量,像NANOHUB CoventorWare PSpice软件和一些在线模拟器。二极管设计以独特的纳米结构,纳米线,nano-films和碳纳米管(CNT)。对于实际应用来说,这是必要的对RTD在室温下操作。在这方面,两种不同分析模型的模拟RTD的双重障碍通过改变设备的尺寸。因此,在本文中,2 b RTD的旨在评估他们的表现。 |
方法 |
| 模型设计为双障碍共振隧穿二极管模拟在室温下。所选材料模拟砷化镓与AlGaAs壁垒。金属接触使用铝(Al雷竞技网页版)。不同空间的布局方面双重屏障共振隧穿二极管分别图1和图2所示。 |
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| 从图1和图2,很明显,设备的总长度是112 nm和73 nm,分别。应用偏置电压设置为0.5伏特。不同掺杂浓度选择不同区域的设备。掺杂分布的设备一样,如表1所示。 |
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| 设备的输入参数调整和优化,如表2所示。这些参数对设备的成功的评价很重要。 |
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结果和讨论 |
| 模拟结果对双势垒共振隧穿二极管使用有效质量模型。图3显示了双势垒共振隧穿二极管的导带宽度与稀释剂,如图4所示的传导带双障碍共振隧穿二极管具有更广的宽度。 |
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| 这些RTD的传导峰值发生在发射器切口区域的局部态与油井状态。同样,图5显示了双势垒共振隧穿二极管电流与电压特征与小宽度在图6双障碍共振隧穿二极管长宽度。 |
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| 的VI特点不同,由于不同结构设计使用。对薄双势垒宽度RTD,远期VI特征几乎是一样简单的pn结二极管。然而,对于长宽度的双重障碍RTD,当前对电压增加到峰值点。峰值点后,设备显示负阻区到谷点。为一个特定的电压范围内,电流电压的递减函数。这个属性在电路的实现是非常重要的,因为它可以提供不同的压控逻辑状态对应于电流峰值和山谷。图7和图8显示了单人和双人的共振能量屏障RTD分别。 |
| 共振发生在电子波长的整数倍数的一半宽度。能量的共振位置给出对应于这些波长的能量色散关系。乐队nonparabolicity减少色散为给定值k。因此,为模型,两者之间的区域壁垒作为量子阱与离散的能量状态。共振隧穿结构通过双重障碍发生在电子的能量流从源与离散能级之一。有界的位置状态中可以调节门的偏见。图9显示了单一障碍共振隧穿二极管的透射系数在图10双共振隧穿二极管的障碍。 |
| 电子隧道效应依赖于势垒宽度。RTD的传输系数成为几乎等于团结由于较低的量子化的能级。传输系数的值依赖于势垒宽度和应用电场。因为模拟RTD的,电场和势垒宽度相同,因此传输系数的几乎是相同的。 |
结论 |
| 在这个工作中,分析不同的双势垒RTD模型模拟了不同尺寸的装置。它可以得出双障碍RTD与更广泛的显示了高功率信号更好的性能,可以用作振荡器,而双障碍RTD与更广泛的和低功率设备宽度显示了更好的性能。的结构、传输系数的值达到统一共振发生时。也可以得出结论,共振峰分裂成许多小峰和小山峰一般的数量等于壁垒。同时,缺乏应用领域优先实现最大透射系数。 |
引用 |
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