研究和评论:工程和技术雷竞技苹果下载杂志》上
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ISSN: 2319 - 9873
+ 44 7456 035580应用物理与材料工程学院科技学院,澳门大学、澳门特别行政区,中国
收到:19/04/2015接受:12/05/2015发表:22/05/2015
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石墨烯的发现,一个新颖的二维(2 d)纳米结构,引发了一个广泛的研究在纳米层为不同应用设备,光电,传感器,催化剂,和能量储存,因为容易制造、特殊的电荷传输、热、光、化学和机械性能1]。作为二维单层膜的重要成员之一,2 d过渡金属dichalcogenides (tmd)层显示广泛的电子、光学、机械、化学和热性能(2]。战区导弹防御系统有一个MX的化学公式2,M是一个过渡金属元素从集团第四组V,或一组六世,X是一个硫族元素(年代,Se,或Te)。它们与弱van der分层材料墙相互作用维系。每一层是一个三明治结构(X-M-X),一个M-atom层是封闭的两个X层和原子层内六角包装(3]。根据叠加订单和金属原子协调,整体对称的TMD可以六角形或菱形的,和金属原子八面体或三角棱镜协调。
不同于石墨烯,tmd的多样化的物理和化学性质,如半导体,金属,和磁性,可以通过配置MX的成分2、构建和应用外部字段(4- - - - - -7]。例如,2 d金属氧化物半导体2nanoribbons可以半导体、金属或磁性通过控制其边缘状态和锯齿形二维金属氧化物半导体的磁性2nanoribbons可以有效地增强通过应用应变由于super-flexibility [5,8]。Koh等人报道,金属氧化物半导体2可以用作机械阀来控制分子扩散(4]。最近,潘报道,VX的磁性2单层膜可以通过加氢(管9]。通过结合加氢与外部张力,史等人报道,金属氧化物半导体的磁性2单层可调(铁磁性,进一步non-magnetism随着张力的增加(6]。最近,潘发现氢化VX2从anti-ferromagnetism单层膜转移到通过一个转折点的顺磁性,铁磁性和交换机从半导体,金属,进一步half-metal随着张力的增加(10]。anti-ferromagnetism半导体或金属特性在低压下导致超交换或移动运营商增强super-exchange,虽然half-metallic字符在高压下的铁磁性是引起carrier-mediated双交换。
TMD单层膜的化学性质也广泛调查,特别是水电解的催化活性。电解水是一个众所周知的原则产生氧气和氢气以可持续的方式。水的电化学还原的关键组件是析氢还原的催化剂(她)。实验和理论研究表明,金属2 h-mos的边缘2负责electrocatalytic活动在电解水11,12]。Voiry et al。131)报道,金属t-ws22 h-ws nanosheets显示她的表现比半导体2,这可以进一步提高应变工程。最近,潘MX的报道,她的表演2单层膜取决于M X和H-coverage,发现VS2是电解水在较低与Pt H-coverage及其催化活性,可以进一步增强提高导电率(14]。
总之,MX2单层膜和纳米丝带为调查提供很多机会的基本现象及其实际应用。他们的多才多艺和可调属性和不同成分使其适用于催化剂,能量存储,传感器和膜量子设备。文献表明,他们有吸引力的多功能应用程序可以通过控制掺杂,进一步实现功能化、外部字段,边缘结构,等等。
