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采用双层高阻抗表面的可重构辐射

K. Sanjeeva Rao1, G.古纳塞卡兰2
  1. 印度钦奈西KK纳加尔市MAHER(米纳克什大学)欧洲经委会系博士生
  2. 印度金奈Meenakshi工程学院CSE系教授
有关文章载于Pubmed谷歌学者

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摘要

在最近的通信应用中,为了解决通信中的一些问题,对天线图型合成和辐射转向的需求是非常迫切的。特别是在多路复用领域,为了使同一信道在多个方向上得到更有效的频谱,需要适当的自适应天线。在本文中,我们设计了一个两层的HIS模型,利用内隐层的旋转将辐射能量从theta=0°方向移动到theta=45°和135°方向。并在结果中给出了辐射图。

关键字

可旋转补丁,HIS,辐射转向,两层

介绍

在过去的二十年中,高阻抗地平面被证明在不改变天线物理的情况下提高天线参数非常有用。由于其特性和TE和TM模式在天线[1]的存在。吸收它可以增强辐射模式。作为常规地平面的替代品,它会抑制表面波的传播[9,10]。即从每一个单元格到下一个单元格,表面波的传播将会减弱,它将会减轻。研究发现,高阻抗地平面放置在天线一侧可作为反射介质。在[1]中解释了它增强和降低辐射能量的方式。它还可以增强其他辐射模式,如[1,9,10]所述。这种人造磁性导体是获得天线自适应性能的重要材料。两种主要作用域是在不改变天线辐射的情况下调整天线频率。 And to steer the radiation without altering its frequency. It is evident that we alter frequencies the better explanation is frequency selective surfaces.

相关工作

到目前为止,在高阻抗地平面中引入了各种型号。不同的形状,如正方形,圆形,六角形等被用作他的补丁。一些人使用两层模型来进一步增强天线模式。特别是环圈模型的频率选择模型是非常有用的。各种材料被用来设计HIS飞机的金属板。有些测试结果比现有的测试结果更好。在最近的研究中,有人试图通过改变HIS的电子工作方式来改变天线参数。在这种情况下,当这些偏置电压发生变化时,天线辐射将分别重新配置,在金属板之间使用一些电子可变二极管。

提出的模型

在本文中,我们提出了一种新的两层HIS来获得辐射可重构性。在这里,第一层在角落有销子,第二层隐藏层在中心有销子,并且是可旋转的。一个单元格将包含第一层的四个补丁和第二层的一个补丁,模型如图[1]所示。
图像
上图中突出显示的补丁是内层,每个单元格都是为2GHz频率的天线设计的。天线为单极天线,臂长3.6cm,采用pec材料制成,工作频率为2GHz。设计考虑:8.37×3.5 cm HIS基面。1.5×1.5cm金属贴片。0.5cm高,0.1cm半径销孔。用于设计两层高阻抗接地平面。

仿真结果

采用Ansoft HFSS软件对所提出的模型进行了设计和仿真,仿真结果如下图所示。
情况1:当两个内板保持不变,HIS被放置在天线的一侧时,辐射发生如图[2]所示。
图像
情况2:左侧内板旋转60°,右侧内板不变,则辐射图样如图[4]所示。
图像
从上图[4]中我们可以清楚地看到,当左板旋转时,辐射图样向左移动。
情况3:右侧内板旋转60°,右侧内板不变,则辐射图样如图[6]所示。
图像
由上图[6]可知,当右板旋转时,辐射重新配置到右侧。
Case 4:同样,我们同时进行左右板的旋转,整体对比如图[7]所示。
图像
从上图中我们可以说,当左侧板旋转时,辐射将移到左侧,当旋转发生变化时,辐射将在该方向上增强,直到某个旋转,然后在某个旋转后再次减少,反之亦然。

结论

本文总结了利用可移动双层高阻抗地平面进行辐射重构的思想。通过旋转内板,我们可以将辐射移动到所需的方向。在这里,板的旋转将改变辐射的相位,并导致它进入新的方向,如结果所示。

参考文献

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  2. 菲利波·科斯塔,一种用于低轮廓可调谐和可控天线的有源高阻抗表面,IEEE天线与无线传播通讯,VOL 7, 2008。
  3. Kotsuka Y., Amano M., ÃⅱÂ ' Â 3基于集成电路的宽带电磁吸收器,微波学术文摘,2003 IEEE mts国际,第2卷,2003年6月8-13日Page(s):1263 - 1266 vol.2。
  4. C.巴拉尼斯,《天线理论,分析与设计》第二版,约翰·威利父子,纽约(1997年)
  5. Kern D.J.;维尔纳·d·h·;Monorchio, a;Lanuzza l;Wilhelm, M.J, â '  3基于高阻抗频率选择表面的多波段人工磁性导体的设计合成,IEEE学报,第53卷,第1期,第1部分,2005年1月,第(s)页:8 - 17。
  6. 刘志伟,\高阻抗电磁表面,“博士论文,加州大学,1999。
  7. D. Sievenpiper, â ' Â高阻抗电磁表面,博士学位论文,加州大学洛杉矶分校,1999。
  8. D. Sievenpiper, E. Yablonovitch,美国临时专利申请,序列号60/079953,1998年3月30日提交。
  9. J. Doondi kumar,平面和Ebg反射器的增强和定向辐射,IJERD:第7卷,第5期。
  10. 杜迪库玛,Ã①Â ' Â高阻抗表面c0轴向馈电矩形贴片天线的设计与分析/Volume-2Number- 1PP-405-410.pdf
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