科技创新研究国际杂志
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F.Y.沙克利一号MFAAlias2A.A.Alnajjar3A.A.J.Al-Douri4
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薄薄胶片拆卸Cdte厚度约500+10nm由热蒸发技术沉入p-GaAs wifer研究 Al和Sb叠加百分比(0.5、1.5和2.5)和基调温度(RT和423K)对CdTe/p-Gaas异位特征的影响四维特征下编译CdTe/p-GaAs异位显示有良好的光伏效应sb短路流值比 Al高Al doping对开路电压(Voc)值的影响大于Sbdo沉入GAs的薄CdTe多项测量结果显示, 2.5%SbdedCdTe/p-GaAs异步沉入RTs和423K
关键字 |
| CdTe/p-GaAs异位化 Al和Sbdopanti |
I.导 言 |
| 编译II-VI/III-V相容性专题引起极大兴趣,因为它们有可能应用于光电设备[1]最有前途的这些装置中,有镉二叉化物(Cdte)作为交叉路口半导体CdTe二四类半导化复合物中独有,因为它同时有p型和n型传导法[2]允许编译同源和异源组合[3-6]中的太阳能电池频带间距约1.5eV,正中太阳频谱,并拥有高吸收系数(ffa) (>104cm-1)可见太阳频谱使Cdte极优可选光伏转换素材[7]Cdte为红外探测器制作X射线和伽马射线检测器吸引了大量注意力[8,9],并开发缓冲层供红外探测器生长Hig1-xxe或Hog1-xixxxe [10-12] 使用,它像Co、Fe和Mn为磁光设备下药一样大有希望的宿主材料[13-15] |
| 三五半导体子块如GAs大都通过光电高速光电单片设备探索使用,因为它们直接带间隔并有可能用作高质量大子块子块[16]薄度CdTe电影通常以Gas基调制作,尽管Cdte和Ga |
| 数项技术报告Gas子串上CdTe增生,如脉冲激光沉降法[18]、热墙前缀法(HWE)[19]、金属有机化学蒸发沉降法(MOCVD)[20]、射频喷射法[21]、分子波段反射法[22]和热蒸发法[23] |
| 这项工作的主要焦点是研究CdTe/p-GaAs用热蒸发技术编造异步这种方法远比目前制造CdTe/Gas异步技术复杂常态温度(RT和423K)对CdTe/p-GaAs异步等光电子特性的影响已得到调查 |
二.警告程序 |
| CdTe/GaAs异步编译技术使用EdwardE306A涂层系统在真空中热蒸发技术共423K消除并下药Cdte厚度(0.5、1.5和2.5) Al和Sb约500+10nmgas wiferp类型(p=(1-5)x1017cm3)GAAs裂谷净化并准备参考中所提到的过程24号 |
| 室温前向和逆偏电压下照亮电流特征和Cdte/Gaas外接技术应用2-2.0V用不同沉积条件用不同强度(20、60和100)mW/cm2测量太阳仪Sharjah大学Sharjah-UAE使用Halogen灯型Kaiser测量 |
三.成果和讨论 |
| 光照下电流特征是异位连接特征光流被视为重要参数,在太阳能电池设备中有效作用 |
| 光强度不等(20、60和100mW/cm2)下阴暗逆向电压i-V特征调查从这次调查中选择出一些异步对光度比其他准备异步比较敏感当前电压特征透视所选异步图见cdte/p-GaAs图12.3观察显示,总体而言,这些列行暗中前向I-V特征显示低电压指数上升(下方0.2V)。这是因为连接点损耗区宽度下降,原因是应用电压注入的多数载波增加,导致内置机能下降偏差增加前向电流增加 与指数行为偏差在图中突出显示高压I-V依赖线性,因为可观序列阻抗对接合特征[24]光照路口后生成更多载波并转发电流增量 |
| figss.12.3显示I-V特性并2.5% AldopedCdTe/p-GaAs分离分别存放于423K和1.5%Sb-doped异步并存RT和423K可见光前向电流增加,事件光强度增加,偏差电压增加 |
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| 显而易见,点亮交界点会增加逆向偏差流,如耗竭区电孔生成所预期,如果事件光子能大于异带最小直带距离[25] |
| 耗减宽度内生成电子孔对数快速冲走,因为强电场产生逆向流光流,事件光强度随事件增加而增加,因为耗减区生成照片电子和孔数增加[25] |
| figss12.3的另一个可见注解是,总体而言,光照对逆流(Ir)的影响与2.5%置存423K相交比优于2.5%Sb并撤销exerojuncton并发现Ir增加约一级量,事件光强度提高为100mW/cm2,逆向偏电压等于0.2V |
| 先前论文中CdTe/n-GaAs异步显示电光效果比CdTe/p-GaAs异步效果大上表测量结果清楚地表明这些预制相容光照需要大量调查才能通过寻找薄膜厚度、退火温度等其他参数增强响应并研究异步分析与各种参数相联性.短路电流(Isc)和开路电压(Voc)是描述设备行为和质量所用的几个主要参数 |
| figs.4(a和b)显示Isc和Voc变异函数Cdte薄膜中 Al和Sb百分数Fig.4(a)显示用药百分率上升导致Isc值增加约一级存放RT和423K的 AldopedCdTe/p-GaAs异位Sb下药百分率从0.5%升至2.5%导致Isc增加约五倍和一阶分存放RT423K总的来说,可以注意到两个T对Isc相邻Sb的影响比对Al相邻性效果清晰sb多取异步值比对al多取异步值多 |
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| 广度图4.b说明 Al doping对Voc的影响大于Sb沉降温度的影响Voc值增加约五四分之四 Al-Sb-doped异步沉积RT并增用分别为1.5%和2.5%显示截取2.5%AL并存RT的相反趋势。另一方面,Voc值增加约一级和约二倍倍对 Al和Sb相交并存,分别沉存423K另一值得注意的注释是Voc对423K沉积值大于RT对两种 doing的沉积值 |
| 下降Isc和Voc值可归结于各种因素,例如出现数列抗药性、分辨交界两端集中和高缺陷密度,因为Cdte和Ga |
四.结论 |
| mW/cm2对CdTe/pGaas阻塞术展开透视I-V特征研究,以加深理解处理步骤包括添加铝、Cdte薄膜中的反火和基温如何影响异联特性从这些研究的结果中可以得出结论: |
| CdTe/p-GaAs分离下I-V特征显示光电效果良好 |
| 泛泛地说,Ic对CdTe/p-GaAs阻塞应用Sb比 Aldope多 |
| Ts对Isc分治Sb效果比对Al分治效果清晰 |
| Al doping对Voc的影响高于Sb对两个Ts的影响 |
| Voc对423K沉积值大于RT对两种 doing的沉积值 |
| CdTe/p-GaAs异步并存Cdte薄膜中2.5%Sb |
引用 |
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