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基于90nm CMOS的6位Flash ADC低功耗比较器设计

摘要

本文的主要研究重点是利用CMOS 90nm技术设计一种适用于超宽带应用的“低功耗Flash ADC”。Flash ADC由参考发生器、比较器阵列、N - 1码发生器、Fat树编码器和输出D锁存器组成。低功耗闪发模数转换器设计的难点是低功耗闭锁比较器的设计。本文所设计的比较器采用90nm工艺，在0.8V直流电压源下使用H SPICE工具设计。仿真结果显示，在采样频率高达1.2GHz的情况下，6位flash ADC的平均功耗为7.67mW。

Parthasarathy K P, K C Narasimhamurthy博士

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