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一种调试硅漏电问题的新方法——移动SoC斜坡生产案例研究

摘要

随着世界走向DSM时代，理解硅的行为变得越来越具有挑战性。模型越来越复杂，但还不能反映硅的实际行为。因此，一些硅问题不能在电路模拟中复制。在硅上发现的问题需要了解各种可用的工具和技术来观察和修改模具。为了达到上市时间目标，需要很好地理解这些技术和调试方法。用于移动应用的设备有严格的功率要求。因此，该器件具有功率守恒模式，在此期间，所引电流极低，仅为几十微安。本文讨论了用于识别关机模式(一种节能模式)中发现的问题的挑战和技术，为了将设备投入生产，必须解决这些问题。

拉维Arora

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