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无电阻CMOS非带隙电压基准

摘要

本文提出了一种与180nm CMOS工艺兼容的无电阻CMOS无带隙基准电压。为了减小电压基准中的温度非线性，采用无电阻阈值电压提取器和差分差分放大器来实现阈值电压和与绝对温度成正比(PTAT)电压的基本线性温度分量。此外，采用自偏置电流源为整个参考电压提供稳定的偏置电流，从而提高电源噪声衰减(PSNA)。采用180nm CMOS技术模拟所提参考电压的验证结果表明，在1.8V电源下，在-20℃至80℃的温度范围内，温度系数(TC)为10.5ppm/C，在不使用滤波电容的情况下，在22mA的最大电源电流损耗下，PSNA为86.2dB。活动面积为48.685mm。

Mary Ashritha, Ebin M Manuel

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