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在静态电压缩放方法减少权力公羊在深亚微米技术

文摘

本文提出如何减少使用电压缩放方法。通过扩展电压下将减少,但低电压增加了参数失败像访问、干扰和写作。本文提出SRAM单元架构与应用程序的低电压降低下令位高等命令与额定电压位,因为图像等多媒体应用,视频和音频固有误差公差。拟议中的SRAM单元体系结构构造采用45纳米技术(与门晶体管尺寸,长度是45 nm)。模拟结果表明功率降低提出了SRAM单元架构与标准相比SRAM单元。随着功率降低提出了SRAM单元架构下测试过程和温度变化。

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