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Adsorpion和解吸氧化物半导体表面的氧的二进制

文摘

二进制半导体层的再生后等温吸附的氧气在不同温度下进行20°C和350°C之间的研究。使用的样品层CdSe通过真空蒸发在玻璃基板上,氧化锌和氧化SnO2层。这些去年增长了氧化锌和锡层在各自的温度为450°C和200°C下O2气体。考虑层金属由真空蒸发技术在玻璃、铝和金属基板,各种性质的金属基体上电沉积(铜、铝、钢铁…)。实验结果表明,在吸附的氧气,两个点之间的电阻测量样品表面变化作为温度的函数和样本的性质。CdSe层和氧化锌强烈吸附氧气在高温下大约200°C,而最大吸附率的O2 SnO2获得较低的温度。在同一温度的等温解吸吸附表明,该层可以再生,但长度相对较长时间。层下O2加热,温度选择,这个元素不太敏感。总再生证明了可逆的氧气与表面性质对材料的稳定性,并通知

哈达德,Hafidi、N Chahmat Ain-Souya, R Ganfoudi,帐篷里

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