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n次幂律MOSFET模型分析

摘要

本文提出了一种简单而又实用的MOSFET模型，即n次律MOSFET模型，用于MOSFET在线性和饱和区域的I-V特性。该模型可以表达至少小于0.12 μm沟道长度的短沟道MOSFET的I-V特性。模型评估时间约为SPICE MOS level -1模型评估时间的1/3。模型参数的提取是通过求解单变量方程来完成的，与传统模型的拟合过程不同，拟合过程需要大量的数值迭代。模型在复杂的MOSFET电流特性和深亚微米区域的电路行为之间起着桥梁作用。

Archana Yadav, Gaurav Bhardwaj

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