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击穿电压击穿现象的分析3 c-sic肖特基势垒二极管使用高斯概要200 ?米厚的圆片

文摘

冲头通过肖特基势垒二极管击穿电压3 c-sic已经分析了使用高斯概要文件。可以看出3 c-sic肖特基势垒二极管收益率高穿孔通过较高的击穿电压值的峰值低掺杂浓度和常数的值m耗尽区宽度增加。所以,薄的晶片3 c-sic可以用来制造肖特基势垒二极管使用高斯配置文件提供更高的击穿电压。

Pratibha Nishad, a . k . Chatterjee

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