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比较研究,延迟和噪声之间的逻辑门CMOS和砷化镓MESFET

文摘

基于这个砷化镓MESFET绝对盖茨通用设计的新模型,分析,回顾和比较。总的来说,新设计的模型是由物理输入高度研发好几次了。这个模型能够移除所有先前提出的困难和设计模型。实现这种类型的结构的必要性遇到没有介质CMOS结构[1]。我们记得MOSFET的结构;这如果是植入在门和氧化层实际上充当任何电容器介电材料一样。实际上没有提供实现这样的介质MESFET的制造过程中。观察这个类比差计划,如果任何靠近牛ide的介电材料层,植入MOSFET在制造期间,种植在城门口终端没有阻碍了装配式结构设备将类似一样的MOSFET。这是实际的座右铭来实现基于MESFET的设计。

Saradindu熊猫Sanjoy Bhadr B。Maji, A.K.Mukhopadhyay

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