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电子结构电子充电密度和无机混合半导体C2H6NTEZN

抽象性

电子结构、电子电荷密度和光学特性有机-无机混合半导体C2H6NTEZN使用全潜能密度功能技术预知带状优化晶体表示半导体性质理解化学联结性质调查材料时, 我们计算电荷密度(110和010)晶体平面从分析密度状态中,我们强调,在局部密度状态中,保值带最大值由zn-d状态强推推推推行情带最小值主要从zn-s轨迹组成,而另一方面Te-p和Te-s状态小量贡献更多方面,我们还计算光学属性,为光电设备的潜在应用获取物理基础

Wilayat Khan、Sikander Azam、Saleem Ayaz KhanH.复位

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