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低噪声放大器在2.4 GHz的Zigbee在MOS 180nm技术

摘要

本文的主要研究重点是利用MOS 180nm技术设计一种用于射频应用的“低噪声放大器”。在现代射频电子学中，我们很少单独设计LNA。相反，我们将RF链视为一个实体，在各个阶段之间执行许多迭代。设计了一种工作在2.4GHz的低功率MOS低噪声放大器(LNA)，用于ZigBee通信。对带感性负载的共源级(CS)和带感性负载的Cascode级进行了调整，比较了两种LNA架构的增益、输入截距点(IIP3)和噪声图等参数。利用H-SPICE进行了模拟和比较。

Raghavendra Bhat, K C Narasimhamurthy博士

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