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低功耗设计基于施密特触发器的SRAM单元使用NBTI技术

文摘

在本文中,我们将修改基于施密特触发器的SRAM单元使用负偏压温度不稳定性(NBTI)为了减少权力比现有的类型的设计。以及新设计与阅读结合虚拟接地错误减少逻辑与现有的基于施密特触发器的SRAM技术相比。负偏压温度不稳定性(NBTI)是一个重要的一生在微处理器可靠性问题。施密特触发器操作提供更好的读稳定性以及增强的创作才能相比标准6 t细胞。这个项目的目的是开发一个电路级技术,利用程序行为来减少电力消耗,没有性能下降。这些模拟实现的导师图形工具。

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