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金薄膜电子生成特性的实验研究

摘要

在本研究中，不同的厚度和沉积速率对其影响x射线本文研究了金薄膜电子生成特性的能量。为了研究不同厚度的影响，研究了厚度为10、100和1000纳米的金薄膜在1埃/s和1 nm/s两种不同沉积速率下的沉积情况。所有制备的样品均采用物理气相沉积技术(PVD)制备，并通过能量色散进行表征光谱学(EDS)，扫描电子显微镜(SEM)和x射线衍射技术(XRD)。结果表明，1埃/s沉积速率下的电子产率明显高于1 nm/s沉积速率下的电子产率。此外，获得的结果表明，与其他考虑的厚度相比，100 nm厚度具有优越的电子生成性能。

Mehran Vagheian, Shahyar Saramad, Dariush Rezaie Ochbelagh1和Dariush Sardari

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