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电力和延迟分析基于双边缘触发D-Flip失败的移位寄存器在16纳米场效应晶体管技术

文摘

触发器是一种电子电路,存储一个或多个数据输入信号的逻辑状态以应对一个时钟脉冲。反复出现的时间间隔期间接收和维护数据在有限的时间内满足其他电路系统进一步处理数据。功耗在超大规模集成电路的设计是一个重要的参数,而时钟网络负责很大一部分(50%)。当电源电压降低逻辑电路的速度可能会减少由于减少有效的输入电压的晶体管。最优电源电压CMOS逻辑的Energy-Delay-Product (EDP)接近nMOS晶体管的阈值电压Vtn实际过程,假设pMOS晶体管的阈值电压Vtp约等于−Vtn。著名的摩尔定律指出,晶体管的数量将被集成在一个死得到每18个月翻了一番,这证明了这一领域的设计也是一个大问题。因此本文的所有三个重大关切VLSI世界,电力消耗、速度和区域消费集中。

M.Arunlakshman

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