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揭示硅纳米线在原子尺度上的塑性变形机制

摘要

为了将纳米线安全可靠地应用于各种纳米器件中，这些纳米线在外部应力作用下的结构演变变得非常重要。利用自制的原位原子尺度实验装置，利用高分辨率透射电镜进行了硅纳米线弯曲实验。直接动态原子尺度观察表明，位错成核、运动、逃逸和相互作用是导致Si纳米线具有大塑性变形能力的主要原因。普遍存在的完全位错运动和相互作用导致了Si纳米线中洛默锁位错的形成。我们直接证明了对洛默位错的连续应变导致Si纳米线中的局部原子无序。这些结果有助于解释硅在纳米尺度上的超大塑性变形能力。

孔德利，辛天姣，肖立荣，沙学超，闫璐，王丽华

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