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锥形围栅MOSFET的尺度理论

摘要

本文从泊松方程的圆柱形式出发，提出了基于径向抛物线势分布的锥形围栅MOSFET的标度理论。为了估计器件的性能，对器件进行了仿真，并将数据与现有的圆柱形和双栅MOSFET模型进行了比较。模拟了该模型的亚阈值摆动和DIBL效应，并与圆柱结构和DG结构进行了比较，发现锥形结构对短通道效应具有更好的免疫能力。

Durlav Sonowal, Santanu Sarma, Riku Chutia

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