研究文章雷竞技app下载苹果版

小信号放大器与MOSFET和BJT在三重达林顿配置

摘要

提出了一种新的小信号窄带放大器电路模型，并进行了定性分析。该放大器采用两个mosfet和一个BJT三达林顿结构，电路中有两个额外的偏置电阻。该电路具有较低的失真率(1.28%)，成功地放大了1-10mV范围的小信号，同时提供了较窄带宽(9.665KHz)的高电压增益(311.593)和电流增益(13.971K)。详细地研究和讨论了不同偏置电阻和直流电源电压对最大电压增益的影响，以及各性能参数对温度的敏感性。并与采用BJT-MOSFET达林顿对结构的电路进行了定性性能比较。所提出的放大器可用于处理音频范围信号的偏移，并可能适用于那些在窄带低频区域放大的主要要求高电压和电流增益的应用。

Susmrita Srivastava, Naresh Kumar Chaudhary和SachchidaNand Shukla

阅读全文下载全文|访问全文