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稳定性分析6 t SRAM的32纳米技术

文摘

SRAM面积预计将超过90%,整体芯片由于需求更高的性能,更低的权力,和更高的集成。密度增加内存,内存bitcells扩展每个技术节点减少面积50%。高密度SRAM bitcells使用最小的设备技术,使得变化SRAM更加脆弱。这种变化影响SRAM的稳定性。探讨静态随机存取存储器(SRAM)稳定/备用,读写模式。摘要不同的技术发现静态噪声容限(核),读,写了。电源电压的影响,晶体管扩展,字线电压,阈值电压和温度对SRAM稳定性分析在待机和阅读模式。从0.7 v至1.2 v读稳定增长231%和备用稳定增长135%。当细胞的比率发生变化从1到3 SRAM的稳定性在读模式就翻了一倍。本文还研究数据保留电压(DRV)备用和读模式保存或读取数据所需的最低电压,电压低于DRV可以翻转SRAM的状态。 The DRV 6T SRAM in Standby mode is 0.14V and that in read mode is 0.29V.

桑杰Chopade Rajni沙玛

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