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纳诺距离通道变异对3TDRAM单元功率和延时作用研究

抽象性

论文描述DRAM设计题、3TDRAM电池模拟量度和延迟度等各种通道长度视通道长度等参数的不同,我们观察不同结果反映在本文件描述的它的力量和延迟上。波形按观察绘制

Saradindu潘达B.Maji博士

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