研究文章雷竞技app下载苹果版

不同剖面对SiGe hbt噪声性能的影响

摘要

硅双极晶体管的一个基本限制是在直流电流增益和基极电阻之间的固有权衡。人们可以通过在基材中引入锗来克服硅双极晶体管的这种限制。在过去的几十年里，硅锗(SiGe)技术以其在噪声最小、高速性能、高截止频率、低基极发射极电容、低基极电阻、高电流密度等方面的更好的噪声性能进入了全球电子市场。由于噪声是晶体管中的一个组成部分，它会降低移动无线接收器、放大器和振荡器的性能，使它们在GHz范围内的高频工作时无法满足对它们的基本要求。在设备级别上的小噪声改进可以对整个系统性能产生很大的影响。在这篇文章中,一个精确的噪声模型的锗硅HBT 0.18μm的基准宽度被观察的行为提出了噪声参数,即最小噪声图(NFmin),基地交通时间和各种分析方程被用于分析和比较最小噪声图NFmin矩形的锗浓度的函数或箱式概要和三角概要锗硅异质结双极型晶体管的更好的性能。基于VISUAL TCAD模拟器工具，给出了仿真模型的结果。

Devanshu, R.K. Chauhan博士

阅读全文下载全文|访问全文