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掺杂剂的影响和衬底温度Current-Volltage特征CdTe / P-GaAs异质结

文摘

薄膜无掺杂和掺杂CdTe厚度约500±10 nm被热蒸发沉积技术(100)p-GaAs晶片上。艾尔和某人掺杂剂百分比的影响(0.5、1.5和2.5)和衬底温度(RT和423 k) CdTe / p-GaAs异质结的光电特性进行了研究。第四特征下照明准备CdTe / p-GaAs垂直显示一个好重要的光生伏打效应。短路电流的值(Isc) CdTe / p-GaAs异质结掺杂与某人高于掺杂。铝掺杂的影响开路电压的值(Voc)超过某人掺杂。所有这些测量的结果不同(Al和某人)掺杂薄CdTe沉积在砷化镓表明2.5% sb-doped CdTe / p-GaAs垂直沉积在RT和423 k照明拥有一个好的反应使它适合异质结设备用作制造照片基本传感器

F.Y. Al - Shaikley M.F.A.别名,嗜Alnajjar, A.A.J.Al-Douri

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