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导热硅薄膜沉积在多孔氧化铝的PECVD。

文摘

在本文中,我们研究了热性能的硅薄膜沉积等离子体增强化学气相沉积(PECVD) "多孔铝使用phothermal偏转技术公司(PTD)。这项工作的目的是探讨影响阳极氧化电流(200至400 mV)热导电率的样本。提出了一种计算模型确定导热系数k之间的巧合实验和理论曲线允许推导出热导率的值有良好的精度。事实上,人们发现K与阳极氧化电流减少。

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