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低功率的VLSI设计故障检测在使用阿拉伯学者SRAM

文摘

静态随机存取存储器(SRAM)已经成为一种新的现代VLSI系统的关键因素。记忆变得更容易受到错误当这些记忆的复杂性增加的技术缩小。这个错误检测存储器是一个耗费时间的过程。因此使用瞬态电流测试方法。本文实现了一个瞬态电流测试方法来检测故障互补MOSFET (CMOS) SRAM细胞。通过监测瞬变电流脉冲在写操作和读操作,故障能被探测到。为了检测故障,内建自测(阿拉伯学者)电路。模拟是进行一个13 t SRAM电路,检测波形的差异。最小化测试在使用传输盖茨13 t SRAM的设计。它可以模拟使用0.25μm CMOS工艺技术,也将其仿真结果与6 SRAM t细胞。 These qualities of the proposed design make it for high performance memory chips in the semiconductor industries Tamilselvi M, Vedhanayagi P, Ramasamy K

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