2 d /硅异质结构光子设备

4^th国际会议在凝聚态物理学和材料

2018年8月16 - 17日|伦敦,英国

Samit K线

S N Bose国家基础科学中心,印度

主题:启J垫。Sci >

DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c2 - 016

文摘

我们将检查我们的最近的工作在2 d / 3 d异质结构几个电子和光子设备。设备使用去/如果照明显示了一个宽带(300 nm - 1100 nm)光谱响应特征峰在~ 700 nm,同意去的光致发光排放。很高photo-to-dark流动比率(> 105)观察紫外线光照。另一方面,过渡金属dichalcogenides (TMDC),一个新兴阶级的二维材料很有意思,由于有限的存在和直接能隙在低维空间中,与广泛的电子和光学属性。我们已经证明了能力逐渐裁剪二硫化钼纳米晶体的光学性质的PL响应和光学吸收,使他们有吸引力的未来光子设备。化学掺杂和电浆增强photoresponsivity的二维(2 d) n-WS2 / p-Si垂直也被证实。大幅bandedge吸收的混合材料表明存在脊柱€“轨道耦合的直接带隙转换二硫化钨层,除了一个更广泛的电浆峰值归因于Ag纳米颗粒。稳定Ag-nanoparticle(~ 4€“6海里)嵌入式电子丰富n-WS2被用来制造等离子体增强,硅异质结光电探测器兼容。探测器表现出优越的性能,具有photo-to-dark ~ 103年的流动比率非常高响应率8.0 (Waˆ’1)和2000%的EQE 10 V的偏见。结果提供一个新的范例intercalant impurity-free金属纳米颗粒辅助剥落的n型二硫化钨few-layer。扮演双重角色,纳米粒子通过诱导化学掺杂以及可调等离子体增强吸收。 Recent Publications 1. R K Chowdhury et al. (2017) Synergistic effect of polymer encapsulated silver nanoparticle doped WS2 sheets for plasmon enhanced 2D/3D heterojunction photodetectors. Nanoscale. 9:15591-15597. 2. A Ghorai et al. (2017) Highly luminescent WS2 quantum dots/Zno heterojunctions for light emitting devices. ACS Appl. Mater. Interfaces. 9:558-565. 3. S Mukherjee et al. (2017) Solution processed, hybrid 2D/3D MoS2/Si heterostructures with superior junction characteristics. Nanotechnology. 28(135203):1-11. 4. R K Chowdhury et al. (2016) Novel silicon compatible p-WS2 2D/3D heterojunction devices exhibiting broadband photoresponse and superior detectivity. Nanoscale. 8(27):13429-13436. 5. S Mukherjee et al. (2016) Novel Colloidal MoS2 Quantum Dot Heterojunctions on Silicon Platforms for Multifunctional Optoelectronic Devices. Scientific Reports. 6:29016.

传记

Samit K线是目前S N Bose国家基础科学中心主任,加尔各答留置权从印度理工学院,Kharagpur。他的研究兴趣是在半导体纳米结构,量子点、光电设备和电子材料。他有300多篇研究论文发表在同行评议期刊、书七章,合著了一本书,“应变硅异质结构:材料和设备”IEE出版的英国。

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