面积和节能磁完全基于微分自旋霍尔MRAM加法器

国际会议上金属、采矿和磁性材料

2018年11月01-02,巴黎,法国

Brajesh Kumar Kaushik和桑杰所生

副教授、印度

海报和接受抽象:J垫子上。

DOI:10.4172 / 2321 - 6212 - c7 - 033

文摘

内存的概念计算获得了显著的吸引力的《盗梦空间》的垂直磁隧道结(PMTJ)设备,由于其non-volatility和CMOS兼容。在最近的过去,几个磁全加器(MFA)设计基于自旋扭矩(STT)和自旋霍尔效应(她)磁性随机存取记忆(mram)。然而,设计能耗较高的写和占用面积较大。在这项工作中,小说MFA使用微分自旋霍尔(DSH) MRAM提出。DSH-MRAM提供同步切换两个PMTJ设备使用她和产生互补逻辑输出。单一大厅金属(HM)共享这些PMTJ设备提供了一个非常低电阻路径进行写操作。在这项工作中,一个外部磁场(EMF)协助她目前用于PMTJ开关,消除了STT当前的需要。一种香料兼容Verilog-A MTJ模型用于模拟提出的MFA的操作行为。EMF协助DSH-MRAM需要很短的脉冲(300 ps)她PMTJs电流开关。拟议的MFA展品操作时间少65%,消耗93%(18%)更少写(读)的能量,并保存23%区域相比,最近发表的基于STT / SHE-MTJ MFA设计。

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