晶体生长的Si基于Na-Si二元相图

14^th在材料科学与工程国际会议和展览

2017年11月13 - 15,|拉斯维加斯,美国

Haruhiko Morito

日本东北大学

ScientificTracks抽象:启J垫。Sci >

DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c1 - 011

文摘

相图提供基本信息材料合成和晶体生长的条件。尽管许多二元相图被报道在过去的世纪,对钠(Na)和硅(Si)尚未建立。2009年,我们的团队提出了一个Na-Si二元相图与热分析的结果和形态学观察。在目前的研究中,我们证明了晶体生长的Si Na-Si解决方案基于Na-Si相图。Na-Si二元相图所示(图1),如果是溶解在Na融化在1173 K。由于Na的沸点是1154 K 1 atm和Na的蒸汽压相对较高的973 K以上,Na可以删除的产品通过蒸发。Na-Si混合物(摩尔比Na / Si = 3:2)被加热在1173 K。Na蒸发改变样本的组成对液相线55摩尔%如果在1173 K左右,允许过饱和结晶Si开始。Na蒸发后,如果得到的单晶,如图1所示。同样,等硅晶体硅薄膜,多孔Si和Si micro-tube被使用Na-Si解决方案准备。 Furthermore, the efficient removal of impurities in Si for the solar cell was demonstrated by dissolution and recrystallization in a Na melt at low temperature. Recently, we succeeded in the crystal growth of Si clathrates by using a Na-Sn flux. These compounds have been widely studied due to their unique open-framework structures of Si polyhedrons.

传记

Haruhiko Morito工程从2007年东北大学获得博士学位。他目前担任副教授东北大学材料研究所。他的研究的主要目的是开发一种新兴材料新的功能和新的物理性质。特别是,他开发了新型功能陶瓷含有碱金属。他还发明了一种新的晶体生长过程基于二元相图的钠和硅。他已经合成的各种通量钠硅基材料的方法。

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