改良凝胶铸造工艺制备高强高孔隙率Si3N4体

31^圣材料科学与工程会议:进步与创新

2018年10月15日至17日，芬兰赫尔辛基

Amir Parsi, Farhad Golestanifard, Seyyed Mohammed Mirkazemi

伊朗科技大学，伊朗

ScientificTracks抽象:Res. Rev. J Mat. science

DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c5 - 026

摘要

多孔Si3N4体在包括生物和航空航天在内的各种应用中都有兴趣。制备的氮化硅体的孔隙率约为38%，抗弯强度接近180 MPa。该工艺采用凝胶铸造法，采用丙烯酰胺(AM)和N,N′-亚甲基双丙烯酰胺(MBAM)作为初级浆料，然后进行焦床烧结。研究并优化了APS和TEMED作为引发剂和催化剂的浓度、烧结时间和温度。研究了Si3N4多孔体的相演化、微观结构、抗弯强度和孔隙率。综上所述，1650°C烧结工艺对强度有显著影响，33%孔隙率的体强度可达到250 MPa。结果表明，β-Si3N4微细晶粒互锁组织的形成是提高强度的关键因素。控制浆液的主要成分对于保持高强度也是至关重要的。对结果进行了解释，并重点介绍了潜在的应用。

传记

Amir Parsi于2012年获得伊朗德黑兰的谢里夫理工大学(SUT)的材料科学与工程学士学位，并于2015年获得伊朗德黑兰科技大学(IUST)的陶瓷工程硕士学位。从那时起，他一直在IUST耐火材料和陶瓷合成实验室的Golestanifard教授的指导下工作。他不仅从事陶瓷粉末的合成研究，而且还是实验室的经理。他以一篇题为“用于凝胶铸造的氮化硅泥浆的流变性能”的论文获得了伊朗陶瓷学会第十届大会(ICerS)和第一届先进陶瓷国际会议的最佳海报奖。近年来，他致力于制备高强度多孔氮化硅陶瓷体，并将其应用于生物领域。

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