研究和评论:材料科学杂雷竞技苹果下载志》上
菜单ISSN: 2321 - 6212
ISSN: 2321 - 6212
Jan J Dubowski
大学的路易斯塔里夫,加拿大
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DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c1 - 001
半导体材料的腐蚀速率接近原子水平分辨率高利息的进步技术处理低维设备的制造,可调谐性的光电性能和设备表面结构的精确控制。所谓的数字蚀刻,利用自我限制的反应有可能解决这些挑战。然而,传统的应用程序提出这种方法的近30年前,需要专门的和昂贵的设备,导致相对缓慢进展的渗透数字蚀刻微/纳米加工处理方案。我们已经观察到光致发光(PL)发光材料与黑暗腐蚀可以忽略不计,可以开展PL-monitored photo-corrosion周期类似于那些从事数字蚀刻。这种方法的优点是,photo-corrosion的材料,如砷化镓/ AlGaAs hetero-structures,可能是在水环境中。这个数字photo-corrosion (DIP)过程可以进行周期,每一个接近sub-monolayer精度。我将讨论浸基础和机制负责实现highresolution半导体材料的腐蚀速率。例如,我们展示了一个成功的解散1 nm厚层砷化镓嵌入式NH4OHH2O Al0.35Ga0.65As壁垒在28%之间,我们声称,在优化的条件下进一步提高分辨率是可行的。下降和低成本的纳米深度分辨率实现这一过程所需的仪器是一个潜在的感兴趣的专业诊断,多层纳米结构的结构分析,例如,揭示现场选择制造先进nano-architectures所需的接口。我们探索的敏感性下降引起的扰动带电分子,如细菌,固定在半导体表面。 Here, I will highlight our recent studies on detection of Escherichia coli and Legionella pneumophila bacteria immobilized on antibody functionalized GaAs/AlGaAs biochips. I will also discuss the application of this approach for studying antibiotic reactions of bacteria growing on biofunctionalized surfaces of GaAs/AlGaAs biochips.
Jan J Dubowski收到了他的博士学位从弗罗茨瓦夫理工大学半导体物理,波兰。他是一个加拿大研究主席和一个完整的电子和计算机工程系教授德大学的路易斯塔里夫,加拿大。他是一个家伙相比,国际社会对光学和光子学(引文:“创新方法调查的激光-互动”)。他已经出版了超过200个研究论文、评论、书章节和会议论文集。雷竞技苹果下载他是一个杂志的副主编激光微/纳米工程,生物传感器和光线:科学与应用程序。
