蓝宝石衬底TMAl预处理对MOCVD生长AlN薄膜性能的影响

14^th国际材料科学与工程会议与展览

2017年11月13日至15日|美国拉斯维加斯

Talal M Al tahtamouni，孙海定，吴峰，Nasir Alfaraj，李光辉，李晓航，Park Young Jae, theeradech Detchprohm, Russell D. Dupuis

卡塔尔大学、卡塔尔阿卜杜拉国王科技大学、沙特阿拉伯佐治亚理工学院、美国

ScientificTracks抽象:参考文献J

DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c1 - 011

摘要

高质量氮化铝外延薄膜的生长依赖于对初始生长阶段的精确控制。本文研究了蓝宝石衬底的三甲基铝(TMAl)预处理对金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长AlN薄膜性能、杂质掺入和生长模式变化的影响。未经预处理，AlN/蓝宝石界面未发现微量碳，残余氧导致n极性。预处理5s后，碳开始掺入，由于TMAl的分解，形成了分散的富碳区。发现碳吸引周围氧杂质原子，从而抑制n极性的形成。预处理40 s后，AlN/蓝宝石界面上出现了大量的碳团簇，吸引了大量共存的氧。在防止n极性的同时，碳簇作为随机掩膜进一步诱导三维生长模式，形成具有不同侧面的al极性AlN纳米柱。讨论了氮化铝的性质和外延生长模式的变化

传记

Al tahtamouni教授是卡塔尔大学材料科学与技术系副教授。主要研究方向为iii -氮化物基深紫外光电器件的设计、材料生长和性能研究。他在深紫外发光二极管(led)的设计、生长和测试以及极性和非极性族iii氮化物涂层和量子阱结构的MOCVD生长方面进行了研究。他还获得了许多奖项和荣誉，如乌尔姆大学的DFG奖学金和德克萨斯理工大学的富布赖特研究奖。Al tahtamouni在深紫外材料和器件结构方面的研究工作在世界领先的期刊和会议上发表了一系列技术出版物。他的许多论文发表在《应用物理快报》上，该杂志被广泛认为是该研究领域的顶级国际期刊之一。

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