掺杂比的钴和铁对铁电体的结构和光学特性铋钛

14^th在材料科学与工程国际会议和展览

2017年11月13 - 15,|拉斯维加斯,美国

唱涌Wung树皮和Sangmo Kim Kwan Shin和Hyung钟旭崔

Gachon大学,韩国

海报和接受抽象:启J垫。Sci >

DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c1 - 012

文摘

复杂氧化物的宽的带隙的主要障碍之一是限制他们在光伏电池的使用。可调谐性铁电能带的复杂氧化物是光伏应用的关键问题之一。我们报告掺杂铁电氧化物和狭窄的带隙光生伏打效应。识别的有效路径裁剪复杂氧化物的带隙,该研究调查了影响钴和铁掺杂lanthanum-modified Bi4Ti3O12-based使用固体氧化物合成反应。结构和光学性质通过x射线衍射、紫外-可见吸收光谱进行了分析。结果,优化铁钴掺杂比钛酸铋粉了~ 1.94 ev减少光学带隙。在电影形式,光学带隙Co-doped Bi3.25 La0.25 Ti4O12 (BLT)和铁、Co -掺杂BLT薄膜是小于non-doped BLT超过1 eV。与能带减少,铁、Co-doped BLT薄膜显示很大程度上增强光电流密度比BLT薄膜的25倍。密度泛函理论(DFT)计算证实混杂过渡金属掺杂物(铁、Co) BLT生成小说在导带能级。这种新的途径来减少光学带隙可以适应其他复杂氧化物的合成。 This approach to tune the bandgap by simple doping could be applied to other widebandgap materials, which have the potential to be used in solar energy conversion or optoelectronic applications.

传记

从POSTECH涌Wung树皮已完成博士学位,美国朝鲜和来自威斯康星大学麦迪逊分校的博士后研究。他已经发表了150多篇论文在SCI期刊和担任客座编辑委员会成员。

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