氦离子辐照Pd/n-SiGe肖特基二极管的电学特性

4^th凝聚态与材料物理国际会议“，

2018年8月16日-17日|英国伦敦

默罕默德·马默尔和哈立德·布齐亚恩

摩洛哥卡迪阿亚德大学摩洛哥拉巴特国际大学

海报和接受的摘要:Res. Rev. J Mat. science

DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c2 - 018

摘要

由于Si1-xGex合金与硅基技术兼容，因此人们对集成由Si1-xGex材料制成的高速和新型器件有相当大的兴趣。离子注入是目前成熟半导体工业中常见的工艺，广泛应用于电子器件的制造过程中。特别是离子注入技术用于提高光电二极管的快速开关和性能。此外，众所周知，离子注入半导体材料对其表面和亚表面区域的结构和电子性能有深远的影响。离子注入引起了结构和电子的变化，这决定了在半导体上形成的金属接触的特性。雷竞技网页版在本报告中，我们报告了氦离子辐照诱导缺陷的电子特性，由深能级瞬态光谱(DLTS)确定。此外，我们还介绍了在氦离子辐照的n-Si0.90Ge0.1上制备的肖特基势垒高度(SBHs)随温度变化的结果，以及这种辐照对Pd/n-Si0.90Ge0.10肖特基势垒二极管(sds)传导机制的影响。研究了氦离子辐照Pd/n-Si0.9Ge0.1肖特基二极管在宽温度范围(100-300 K)下的电学性能，发现电流流动主要由热离子发射控制。研究了Pd/n- si0.9 ge0.1肖特基二极管的肖特基势垒高度(Φbn)和理想因子(n)随温度的变化规律。随着温度的降低，Φbn值降低，n值增加。 Additionally, linear dependence between the so-called temperature factor T0 and temperature as well the wellknown linear correlation between SBHs and ideality factors, Φbn (n), are observed and explained in terms of inhomogeneities due to the presence of He-ion irradiation induced defects and traps with associated energy level localized in the gap.

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