ti衬底溅射PZT薄膜在薄铅涂层再结晶时的评价

11^th先进材料与加工国际会议

2017年9月7日- 8日苏格兰爱丁堡|

Ankita Ghatak

S.N. Bose国家基础科学中心，印度

ScientificTracks抽象:Res. Rev. J Mat. science。

DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c1 - 005

摘要

在金属衬底上制备锆钛酸铅(PZT)薄膜具有高频工作、低串联电阻、低介电损耗和潜在的嵌入式电容器系统等优点。作为PZT薄膜的合适金属载体，钛(Ti)具有较高的熔点，热膨胀系数与PZT的热膨胀系数非常接近，具有良好的附着力和低反应性，是最自然的选择。然而，PZT薄膜在Ti衬底上的铁电和压电响应并不是那么令人鼓舞。PZT薄膜表面存在的非铁电焦绿石/萤石(Py/Fl)相被认为是电性能差的主要原因。本文从结构、形态、成分和电学等方面研究了薄铅涂层对PZT薄膜再结晶的影响。在Ti衬底上溅射沉积的PZT薄膜表面存在Pb2 (Zr,Ti)2O6型缺pb富Zr的Py/Fl相。用薄铅(Pb)涂层对PZT薄膜进行再结晶，通过将顶部的贫铅和富zr的Py/Fl相转化为钙钛矿相，提高了薄膜的结晶程度、形貌和介电/铁电性能。用铅涂层再结晶时PZT薄膜的结构变化与PZT薄膜的铁电特性有关。

传记

Ankita Ghatak，国家博士后研究员，她的专长是纳米结构二元和复杂氧化物的生长。她开发了一种排列的一维纳米结构二元氧化物，在应用领域具有很强的影响力。她拥有复杂氧化物纳米结构微观结构分析的专业知识，从技术角度提供了一个新的研究领域。她对复杂材料与衬底的界面分析在器件制造过程中开辟了一个具有挑战性的领域。在她的出版物中，她对创建原子式清晰界面的好处做出了巨大贡献，这将提高未来设备的性能。她最近通过结构模拟实现了一种研究锰矿纳米线原子柱的新方法。

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