制造和表征的铜掺杂硫化镉薄膜太阳能电池

5^th国际会议上理论、材料和凝聚态物理

2018年11月26 - 28日期间,|洛杉矶,美国

Sabur Abiodun Ayinde

尼日利亚联邦理工

ScientificTracks抽象:启J垫。Sci >

DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c10 - 041

文摘

电子元器件的白衬衫,尤其是固态设备和微电子集成电路,毫无疑问找到了最广泛和最苛刻的应用薄膜口供。为了制造太阳能电池,准备前体的铜镉硫代氨基甲酸被用于CuCdS薄膜的沉积在420 oc ITO镀膜玻璃衬底通过金属技术作为吸收层。掺铝氧化锌(偶氮)也沉积了喷雾热解在350 oc的窗口层吸收层沉积。银膏drop-dried在窗口层沉积的欧姆接触。雷竞技网页版层状薄膜沉积的结果,分析了太阳能电池用卢瑟福背散射光谱和能量色散x射线(EDX)、紫外可见分光光度计,吉时利fourpoint探测仪器,和电流-电压分析。苏格兰皇家银行的分析沉积CuCdS电影显示铜组成比例= 4.20%,Cd = 10.77%, S = 33.74%, O = 51.27%。薄膜厚度的133 nm和889 nm)记录为偶氮和CuCdS薄膜分别从苏格兰皇家银行获得的分析。偶氮所观察到的构成EDX Al = 1.13%,锌= 66.40%,O = 21.61%。偶氮膜的紫外分析显示,这部电影有一个光学透光率60%的光谱中的可见光部分的直接带隙3.25 ev,虽然能带CuCdS 2.41 ev。的吸光度CuCdS电影被观察到的低能见度/近红外光谱区域和高紫外线地区。 The sheet resistance and resistivity of AZO film are 9.58×106 Ω/square and 1.27×10-2 Ωcm respectively, while 1.17×109 Ω/square and 10.40Ωcm were obtained as the sheet resistance and resistivity of CuCdS film respectively. The I-V analysis of the fabricated solar cell showed that, under dark condition, it behaves like a diode or semiconductor current rectifier. The fill factor as extracted from the device and its corresponding conversion efficiency are 0.6911 and 4.38% respectively.

传记

Sabur Abiodun Ayinde奥博费米Awolowo大学的博士生,他在2015年工程物理硕士学位。他是一个33年学术人员的联邦理工,埃德,尼日利亚。他已经在制造业工作毕业后他的第一个学位,在过去的7年理工的老师。他已经参加了一系列会议和发表了超过8个著名学术期刊上的论文。在他寻求知道事情的工作,他喜欢解决挑战性的问题在材料和固态电子产品。他是婚姻幸福的孩子,总是呈现社区服务的人的欲望。

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