基于石墨烯阴极cold-field排放来源

22^nd先进材料与纳米技术国际会议

2018年9月19日,东京,日本

Anjam无独有偶,Xiuyuan邵

海报和接受抽象:启J垫。Sci >

DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c4 - 024

文摘

在过去的几十年中,广泛研究工作进行碳基场发射冷阴极,如碳纳米管(碳纳米管),还没有还,导致新的可行的电子来源用于电子显微镜/光刻。他们最成功的布局通常以点的形式,为大面积阵列场发射应用程序。纳米尺寸发射器单点阴极已被证明比传统单晶钨阴极有更严重的问题:难以掌握的严格的特高压要求,相对较大的电流稳定性和快速发射衰减。这些困难阻止了寒冷的场发射电子源的广泛使用电子显微镜/光刻技术的应用程序。最近,在新加坡国立大学的研究小组,由Anjam无独有偶,成功地采用石墨烯场致发射阴极电子显微镜/光刻技术的应用程序。他们获得稳定的场致发射从独立石墨烯环结构,5μm直径和壁厚约3海里。另一个发展是发现石墨烯涂层在倪磨尖大大降低了石墨烯的功函数(超过4倍),使其能够同时提供稳定的场致发射cathode-tip电场强度低至0.5 V /海里,一个数量级低于传统单晶钨阴极。这使得它可以操作在高压条件下阴极(4×可托)和使用相对较大的cathode-tip大小(微米大小)。这些进展将大大延长冷了场发射电子源的使用电子显微镜和光刻技术的应用。

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