纳米电子器件的高性能复杂氧化物异质结构

13^th先进材料与纳米技术国际会议

2017年10月26日至28日，日本大阪

肖恩·李

澳大利亚新南威尔士大学

ScientificTracks抽象:Res. Rev. J Mat. science

DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c1 - 008

摘要

电子系统对更高性能和更低功耗的需求是纳米级器件新材料创造的主要驱动力。这些新材料的成功取决于载流子迁移率和电导率的显著增强。在这项工作中，我们通过设计原子锋利的复杂氧化物异质界面，在空间上分离电子生成层和传导层，分别提高电子迁移率和密度。它的目标是开发一种具有超高电子迁移率和导电性的新型材料，在室温下比todayâ的最先进材料高出一个数量级，以实现下一代纳米电子技术。

传记

Sean Li目前就职于悉尼新南威尔士大学材料科学与工程学院。他在著名期刊上发表了大量的研究论文和文章，并在相关研究中取得了各种成就。他以广泛的研究工作为科学界提供了宝贵的服务。

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