研究与评论:材料科学杂雷竞技苹果下载志
菜单ISSN: 2321 - 6212
ISSN: 2321 - 6212
H Hashim, A Mohd和A B Ooi
沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学
海报及接受摘要:参考文献J
DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c2 - 018
通过研究长波长量子点材料生长后热退火的PL发射，观察到显著的行为，STO封顶，强烈推荐作为混合抑制源，是一种有前途的高激光性能材料。在混合研究中，采用脉冲层沉积(PLD)方法将样品沉积在厚度为100 nm的氧化锶钛(STO)上，在650 ~ 725℃的GaAs超压下，采用快速热退火(RTP)方法对其进行退火，使其产生不同速率的热互扩散。用1064 nm激光源激发样品，在77 K下测量了不同退火样品的PL光谱。从图1可以看出，在725℃退火温度前混掺具有明显的抑制扩散行为，这就很好地说明了在多波长芯片中推荐使用该材料，当使用掩模时，SiO2作为第二促进混掺源。在沉积样品中明显的应变效应表现为光谱中的红移。第二个观察结果是两个峰，GS和第一个激发态的合并，而退火中In在点中的扩散引起态的量子点密度的变化，这被看作是两个态的合并，为了估计状态合并的临界温度，我们绘制了GS, ES1之间的能量差作为退火温度的函数-图2。与X轴的直线截距表示临界温度的点。高斯拟合用于估计所有光谱的峰值波长，图(3)显示了退火时的行为，对于整个光谱，在退火到700°C左右时观察到FWHM的下降，在临界温度附近它开始增加(因为第三峰效应)，对于GS行为，它开始随着退火而减少(因为与ES1合并，在TC以上，它完全合并，因此无法从高斯拟合估计。对于ES1:它开始增加(因为GS与它合并)，然后在TC开始减少(因为第三峰的出现)。
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