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菜单ISSN: 2321 - 6212
ISSN: 2321 - 6212
Arkaprava Das Subodh K Gautam D K舒克拉,G R Umapathy, S Ojha Fouran辛格
国际米兰大学加速器中心、印度UGC-DAE财团为科研、印度
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DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c2 - 017
基于无掺杂和锡掺杂氧化镉(CdO)薄膜是由84伏Si6辐照+和120伏Ag9 +离子。在目前工作电荷nutrality水平(CNL)在高度进行CdO薄膜由观察demonstarted带隙的变化在退火和兴奋剂。增加锡掺杂是一个标志性的微晶尺寸减少的CdO化学计量置换替代Sn的Cd。每个Cd2 +离子取代Sn2减少Sn4 + +离子通过创建空缺的晶格氧还enhnaces锡掺杂薄膜载体浓度。不能解释为带隙增强Burstein苔藓转变(BMS)只能解释为,但形成电中性区(CNL)水平。当地CNL驻留在分支点的水平差距的虚拟状态(中收取)代锡掺杂的结果在CdO晶格。进一步的调查使用软x射线吸收光谱(SXAS)氧气K和镉M边缘和光谱特性的分析揭示了一个的证据p-d O 2 p轨道之间的相互作用和Cd 4 d轨道。辐照后,薄膜表现出一种不同寻常的带隙通过代氧增强空缺由于巨大的电子能量沉积在晶格Ag)和硅离子。观察到的带隙增强证实了框图示意图。最近的出版物1。 Arkaprava Das et al. (2017) Virtual gap states induced modifications in charge neutrality level in cadmium oxide thin films. Materials Research Express. 4(4):045901. 2. Arkaprava Das et al. (2016) Electronic structure modification and Fermi level shifting in niobium doped anatase titanium dioxide thin films: a comparative study of NEXAFS, work function and stiffening of phonons. Physical Chemistry Chemical Physics. 18(5):36183627. 3. Arkaprava Das et al. (2016) Micro-Raman and electronic structure study on kinetics of electronic excitations induced monoclinic to tetragonal phase transition in zirconium oxide films. RSC Advances. 6(106):104425-104432. 4. Subodh K Gautam et al. (2016) Carrier transport mechanism of highly-sensitive niobium doped titanium dioxide/p-Si heterojunction photodiode under illuminations by solar simulated light. Journal of Applied Physics. 120:214502. 5. Rakesh C Ramola et al. Study of phase transformation induced by electronic excitation in pure and yttrium doped ZrO2 thin films. Material Research Express. 4(9):096401.
Arkaprava Das是国际米兰大学加速器中心的高级研究学者,新德里,印度,他的研究工作集中在发展无掺杂和掺杂氧化镉(CdO)薄膜和纳米复合材料(nc)为研究各种相变现象除了潜在的应用范围。
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