研究和评论:材料科学杂雷竞技苹果下载志》上
菜单ISSN: 2321 - 6212
ISSN: 2321 - 6212
崔Soon-Gil Yoon, Jin-Seok Hyunwoo哈,你Kim Hyun, Seonhee李,不过Shin Ji-Ho加工,Hyung-Jin崔和Byeong-Ju公园
忠南国立大学、韩国韩国先进科学技术研究所、韩国韩国成均馆大学,韩国
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DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c1 - 008
直接通过化学气相沉积石墨烯增长功能基板是一个有吸引力的方法制造柔性电子设备,因为它避免了缺陷的石墨烯转移。制作灵活设备塑料基板,生长温度必须低于~ 200°C,防止基板变形。在这里,我们报告的直接增长皱纹和没有缺陷的石墨烯在柔性基板在低温和无转移的过程。我们表明,没有缺陷的石墨烯可以直接种植在各种基板通过一个超薄钛缓冲层的引入,由于钛和碳原子之间完美的晶格匹配。我们进一步证明非原位钛层的厚度(TixOy) ~ 10 nm并不影响透光率或功能基板的导电率。我们报道的理论和实验证据对大规模(4 4cm2)高质量石墨烯生长在原位沉积titaniumbuffered基质在150°C CH4 / H2气氛通过plasma-assisted热化学汽相淀积。我们提出的方法应用于制造灵活和透明的薄膜电容器直接种植,bottom-graphene电极。这些发现铺平了道路的实际开发灵活的电子设备通过大规模高质量的单层石墨烯生长不直接与转移过程。
Soon-Gil Yoon已经收到了他的博士学位韩国先进科学技术研究所(韩科院),韩国在1988年。他是一个材料科学与工程系教授,忠南国立大学、韩国。他目前的研究兴趣是薄膜电容器,融合技术的太阳能电池,等他发表了310篇SCI论文。