研究与评论:材料科学杂雷竞技苹果下载志
菜单ISSN: 2321 - 6212
ISSN: 2321 - 6212
郑在勋、崔尹浩、郑光植、赵万浩、朴汉邦、金达索
延世大学，韩国
海报及接受摘要:参考文献J
DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c1 - 003
二维过渡金属二硫族化合物(TMDs)在光电器件中的应用引起了人们极大的兴趣。研究了分子束外延(MBE)在c轴蓝宝石(0001)衬底上生长的大面积MoSe2薄膜的光学性质。通过光致发光(PL)、拉曼光谱(Raman)、x射线衍射(XRD)、x射线光电子能谱(XPS)等测试来评价膜的质量。我们得到了单层、双层和三层MoSe2的光学吸收光谱，并观测到在~ 3ev下布里渊区(BZ)直接跃迁Г-point处对应的光学临界点。随着层数的增加，Г-point处的吸收峰强度增加，位置发生偏移。Г-point处峰的变化是由于能带结构随层数的变化而引起的，从而导致接合态密度(JDOS)的调制。由于少量MoSe2层的导带和价带几何形状在Г-point附近相似，Van Hove奇点(VHS)和带嵌套都有助于形成强吸收峰。利用3eV光泵，通过选择合适的层数，可以选择性地激发MoSe2。二维材料的能带结构调制和强光子电子相互作用将广泛应用于光子和光电子器件。
