优化性能的石墨烯电阻随机存取存储器装置的有效装饰的二硫化钼

31日^圣材料科学与工程研讨会:进步和创新

2018年10月15 - 17日,芬兰赫尔辛基

结果表明曹,恒威秋和王名被告

西安交通大学,中国

海报和接受抽象:启J垫。Sci >

DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c5 - 027

文摘

石墨烯及其衍生物广泛应用于电阻随机存取存储器(RRAM)为他们杰出的电气性能。考虑到简单和经济的制备方法,石墨烯氧化物(去),减少氧化石墨烯(rGO)吸引了更多的关注比获得的石墨烯化学汽相淀积(CVD)。然而,穷人遭受电导率由大量的缺陷引起的,去RRAM rGO展览表现不佳。为了克服这个问题,可以使用材料具有良好的导电率提高电导率的或rGO。作为graphene-like材料、二硫化钼(监理)是一个适当的添加剂因其良好的导电性和容易获得的解决方案。本文合成了二硫化钼和引入以不同的方式去制造记忆装置。建设监理的有效混合后,设备表现出记忆电阻的性能,开/关20的比例,这极大地改变了表现不佳的纯记忆电阻。为了进一步提高穷人电导率缺陷造成的去解决问题,去粉、硫脲和钼酸钠同时用于参与还原反应形成rGO-MoS2。二硫化钼微球严格遵守rGO表参与rGO表之间的电荷俘获和释放过程,同时增加系统的电导率。一位杰出的内存性能从rGO-MoS2-based获得内存设备表现出极高的开/关的比例1000年比以前高出50倍。 The results indicate that rGO-MoS2 has great application potential in the resistive memory which plays an important role in the subsequent research on RRAM.

传记

结果表明曹的博士生在学校从西安交通大学电子与信息工程。她追求博士学位在电子科学与技术。她的研究兴趣包括灵活的纳米材料的制备及其应用在可穿戴设备。

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