高度无序氧化薄膜中的电阻开关

11^th先进材料与加工国际会议

2017年9月7日- 8日苏格兰爱丁堡|

Manfred Martin, Yoshitaka Aoki, Philipp Hein和Alexandra von der Heiden

德国亚琛工业大学
北海道大学，日本

ScientificTracks抽象:Res. Rev. J Mat. science。

DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c1 - 005

摘要

在由两个离子阻塞电极夹在中间的混合离子电子导体薄膜中，离子的均匀迁移及其极化将改变导体中电子载流子的分布，从而实现均匀电阻开关。本文报道了非晶态GaOx (x~1.1)薄膜基于体氧化物离子电导率的非丝状记忆开关。我们通过光电发射和透射电子显微镜直接观察到氧离子在阻塞电极上的可逆富集和消耗，以响应偏压极性，证明氧离子迁移率引起记忆行为。迟滞I-V曲线的形状可由偏置历史调整，正如在数学推导的忆阻器模型中发现的那样。这种动态行为可以归因于耦合离子漂移和扩散运动和氧浓度分布作为忆阻器的状态函数。我们将讨论更多的例子。

传记

曼弗雷德·马丁是德国亚琛工业大学物理化学研究所的教授和所长。在韩国首尔国立大学，他是WCU教授，现在是兼职教授。他在固体物理化学的教育和研究方面有30多年的经验，并在院系、学院和大学一级服务。他目前的研究主要集中在能量转换、电阻开关、固态反应、二次离子质谱和计算机模拟等方面。曼弗雷德·马丁教授在国际学术期刊上发表了200多篇科学论文。他获得了卡尔-瓦格纳奖，并被选为英国皇家化学学会的成员。指导博士生50余人，博士后20余人。

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