ISSN: 2321 - 6212
Ankita Ghatak
S N Bose国家基础科学中心,印度
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DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c3 - 020
钛酸钡(钛酸钡)是一个非常有吸引力的材料领域的陶瓷和微电子学由于其良好的电气性能。其高介电常数和低损耗的特点使BTO一个很好的选择对于许多应用程序,如电容器、多层电容器(多层陶瓷)和能源存储设备。在最近的活动中,关注的焦点已经转移对经济增长的薄BTO薄膜厚度≤200海里,甚至最好是薄如100海里。是理想的BTO薄膜生长在(Pt / Si),可以作为超级电容器如果相对介电常数是超过100人。然而,BTO薄膜的生长(~ 100 nm)和可接受的介电和铁电特性没有充分解决方法增加这样一个电影没有被标准化。我们报告一个简单的方法来恢复钙钛矿相的顶面/地下地区的钛酸钡薄膜(~ 100海里)(BTO)所使用的脉冲激光沉积铂硅(Pt / Si)表面,从而增强其介电和铁电性质。进化阶段,表面形态与当地BTO薄膜的化学成分研究了激光能量密度的函数。调查使用x射线衍射(XRD),掠射角x射线衍射(GIXRD)发生率和深度解决x射线光电子能谱(XPS)表明,即使在实现一个好的阶段形成nonperovskite二氧化钛的存在阶段可以有表层和次表层的电影,降低其介电和铁电等反应。恢复退化的表层是由低能氩等离子体的结合治疗后跟一个退火过程,增强了英航的内容。
Ankita Ghatak博士后研究员,她的专业知识在发展纳米二元以及复杂的氧化物。她已经对准一维纳米二元氧化物具有强大的影响领域的应用。她也有她的专长上复杂的氧化物纳米结构的微观结构分析提供了一个新的领域的研究从技术的观点。她与基质复合材料的界面分析了设备制造过程中一个具有挑战性的领域。她在她的出版物有极大贡献的利益创造自动锋利的接口,将提高未来的设备性能。