半导体表面自组织周期纳米结构

10^线程新兴材料和纳米技术国际会议

7月27-29日2017年温哥华

基秀林

清布克国立大学

科学轨迹摘要解析公元前J Mat科学圈

DOI:10.4172/2321-6212-C1-002

抽象性

半导体表面自构纳米素材(ZnO和GAN)和二电材料(flica,borate玻璃,LiTaO3,LiVO3,Saphire)由800Nm扫描聚焦Femto二轮激光脉冲制作,复用速率为1khz激光流畅纳米自构范围非常窄测序结构定向与线性激光极化相容电面悬浮结构周期取决于激光电量扫描速度和增频范围200-300纳米并带扫描速度和激光脉冲能对比之下GAN显示约600纳米时段与二电材料相同时段减为450纳米时激光功率减十倍离散值比介电ZnO低得多,表示高等离子密度、大热传导率和800纳米多孔吸收系数等类似金属纳米化特征纳米化蓝宝石区释放显示缺氧图1显示LiVO3和ZnO表面扫描Femto二轮激光脉冲积速度40?1⁄4m/s应用方面,可使用表面纳米结构提高LED光源比对物料吸收还可因Fs激光脉冲处理生成的表层纳米结构而大大增强,该结构适用于感测电池和太阳能电池

传记学

Ki-SooLim是南韩钟布克国立大学物理系教授激光光谱稀土离子晶体、镜片、玻璃元件和半导体并研究玻璃、光聚合物和光伏材料中的三维或全息数据存储最近的兴趣和成绩包括含氟纳米晶体的稀释和光学特性,以及用femto二维激光在二电素和聚合物表面制造微核结构1977年和1980年分别在汉城国立大学获得物理学BS和MS学位后在美国康涅狄格大学攻读物理博士学位,并担任佐治亚大学研究助理曾于1990年在韩国标准研究所工作后加入钟布克国立大学

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