在交换耦合[Co/Pd]IrMn薄膜中形成纳米磁畴存储器

3.^{理查德·道金斯}磁学与磁性材料国际会议

2018年10月22日至23日|意大利罗马

Karine Chesnel

杨百翰大学，美国

主题:Res. Rev. J Mat. science

DOI:10.4172 / 2321 - 6212 c6 - 028

摘要

磁性纳米结构，如垂直薄铁磁层中的磁畴，因其在纳米技术中的潜在应用而受到越来越多的关注。磁域存储(MDM)，即域模式通过场循环检索其完全相同的空间配置的能力，在磁记录技术中特别有用。在这里，作者将展示x射线同步加速器工具如何在纳米尺度上独特地探测这些磁性系统的行为。更具体地说，作者将回顾相干x射线磁散射(CXRMS)技术，以及它如何用于测量薄铁磁薄膜中的MDM，如图1所示。由于用相干x射线照射磁模式会产生散斑散射模式，这是磁畴结构的独特指纹，因此相互关联这种散斑模式提供了一种测量MDM的方法。作者将介绍[Co/Pd]IrMn交换偏置薄膜的结果，当冷却到其阻塞温度以下时，该薄膜表现出强MDM(高于95%)。通过将相关关系映射为磁场的函数，作者将展示MDM的行为如何依赖于磁历史和冷却场。我们将看到，当零场冷却时，MDM在磁化循环的矫顽力区域达到最大值。我们还将看到，通过现场循环和加热，一直到阻塞温度，MDM是相当健壮的。最后，作者将展示如何通过调节冷却场的大小来完全控制MDM:如果在无或中等磁场下冷却薄膜，MDM在整个磁化回路中保持强大和稳健; if the film is cooled with under a strong, near saturating field, MDM is essentially lost. Recent Publications 1. K Chesnel et al. (2008) Magnetic memory in ferromagnetic thin films via exchange coupling Physical Review B 78:132409. 2. K Chesnel et al. (2011) Oscillating spatial dependence of domain memory in ferromagnetic films mapped via x-ray speckle correlation. Physical Review B 83:054436. 3. K Chesnel et al. (2013) Field mapping and temperature dependence of magnetic domain memory induced by exchange couplings. New Journal of Physics 15:023016. 4. K Chesnel et al. (2016) Shaping nanoscale magnetic domain memory in exchange- coupled ferromagnets by field cooling. Nature Communications 7:11648.

传记

Karine Chesnel于2002年在法国格勒诺布尔约瑟夫·傅里叶大学获得物理学博士学位。她目前在杨百翰大学物理与天文系担任副教授。她的研究重点是纳米磁性，研究纳米尺度的磁性。她所研究的材料包括具有交换偏置的铁磁薄膜和超顺磁性纳米颗粒。她已经就这些主题发表了大约40篇论文，其中包括一本书关于磁畴存储器的章节。

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